凌力尔特推出高速高压侧受保护的N通道MOSFET驱动器

‧可调输入欠压和过压锁住 (LTC7000)

亚德诺半导体 (ADI) 旗下的凌力尔特 (Linear Technology)日前推出高速、高压侧N通道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1，该元件可操作于高达 150V 的电源电压。其内部充电泵全面强化外部N通道MOSFET开关，因而使之能无限期地保持导通。 LTC7000/-1 的1欧姆闸极驱动器能以非常短的转换时间驱动大闸极电容 MOSFET，因此适合高频开关及静态开关应用。

LTC7000/-1可在3.5V至135V (150VPK) 输入电源范围和3.5V至15V偏置电压范围内操作。透过监视与外部MOSFET之漏极串联的外部感测电阻两端之电压可检测过电流情况，当LTC7000/-1检测到开关电流超过某个预设水准时，会确定一个故障标记，并关断开关一段时间，而这段时间是由一个外部定时电容设定。在经过一个预定的时间段之后，LTC7000/-1 将自动执行重试操作。

LTC7000/-1专为接收一个参考对地的低电压数位输入讯号、以及快速驱动一个漏极电压高出地电位达150V的高压侧N通道功率 MOSFET 而设计。 13ns 的快速上升和下降时间 (当驱动一个1000pF负载) 可将开关损耗降至最低。 LTC7000是全功能元件并具有比LTC7000-1更多的特点，包括致能、过压锁住、可调电流限制和电流监视。

在过载情况下，电流折返限制了MOSFET产生的热量。其他特点包括内建的自举二极体、电源良好输出讯号、可调输入过压锁住和软启动。

LTC7000 采用 MSOP-16 封装，而 LTC7000-1 则采用 MSOP-16 (12) 封装，后者移除了 4 个接脚以提供高电压间隔。元件提供三种操作接面温度等级，延展性版本和工业版本为摄氏–40度至125度，高温汽车版本为摄氏–40度至150度，而军用等级则为摄氏–55度至150度。

‧40μA低静态电流

‧宽广VIN操作电压范围：3.5V至135V (150V 绝对最大值)

‧1欧姆下拉、2欧姆上拉以提供快速导通和断开

‧短路保护

‧自动重启计时器

‧漏极开路故障标记

‧内建自举二极体

‧可调的导通转换速率

‧3.5V 至 15V 偏置电源

‧可调电流限制 (LTC7000)

‧可调电流限制 (LTC7000)