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ROHM开发车电超小型MOSFET RV4xxx系列 助ADAS相机模组等零件小型化
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2019年07月25日 星期四

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半导体制造商ROHM研发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」,该系列产品可确保零件安装後的可靠性,且符合车电产品可靠性标准AEC-Q101,是确保车规级品质的高可靠性产品。此外,该系列采用了ROHM独创的封装加工技术,非常有助於先进驾驶辅助系统(ADAS)相机模组等高品质车电元件的小型化。

半导体制造商ROHM研发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」,该系列产品可确保零件安装後的可靠性,且符合车电产品可靠性标准AEC-Q101。
半导体制造商ROHM研发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET「RV4xxx系列」,该系列产品可确保零件安装後的可靠性,且符合车电产品可靠性标准AEC-Q101。

RV4xxx系列已於2019年5月份开始出售样品,预计於2019年9月开始暂以月产10万个规模投入量产。

近年来,在ADAS领域中所不可或缺的车电相机,因受到安装空间的限制,对所配置零件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求,在保持大电流的前提下,可进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET因而备受瞩目。

另一方面,为确保车电产品的可靠性,会在产品安装後进行外观检测,但由於底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面,因此无法确保车电元件所需要的焊料高度,也很难确认安装後的焊接状态,这种情形已是长久以来存在的问题。

ROHM一直领先业界致力於超小型MOSFET的产品研发,并创造了许多傲人隹绩。本次透过ROHM独创制程的Wettable Flank成型技术,在底面电极封装也能形成焊接面,实现了业界首创保证封装侧面电极部分具130μm高度,因此可在产品安装後的外观检测中充分确认焊接状态。

特点

1. 利用ROHM独创制程的Wettable Flank成型技术,保证封装侧面电极部分具130μm高度

Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。然而,引线框架切割高度越高越容易产生毛边。

为此ROHM研发出独创制程,在引线框架整个表面上设定了用来减少毛边的障壁层,可以防止产品安装时出现倾斜和焊接不良,在DFN1616封装产品(1.6mm×1.6mm)中,成为业界首家可保证封装侧面电极部分具有130μm高度。

2.换装成小型底部电极MOSFET,减少安装面积

传统ADAS相机模组的反接保护电路主要采用萧特基二极体(SBD)。但是,随着相机解析度日益提高,在迈向超大电流化方向发展的车电市场,由於小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点,取代SBD已经是大势所趋。

例如电流2.0A、功耗0.6W时,在车电市场被广为使用的带引线封装MOSFET,与SBD相比可减少30%的安装面积。而底部电极封装的MOSFET,由於散热性更隹,不仅可实现小型化,还可实现大电流化,因此与传统的SBD相比,安装面积可减少78%,与普通的MOSFET相比,安装面积可减少68%。

關鍵字: ROHM 
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