半导体产业单晶圆湿式清洗解决方案的领导设备供货商SEZ Group，20日宣布其已发展出可简化前段制程(FEOL)光阻去除程序之全新化学制程。SEZ专利的Enhanced Sulfuric Acid(ESA)去除制程使用一系列以硫酸为主要成分的化学制剂，以大幅减少目前在光阻去除机或批处理的环境中光阻去除制程所需进行的步骤如：光阻重修、后蚀刻与植入光阻去除、以及电浆光阻之残余物去除等。这项全湿式化学制程目前正在数个重要顾客的晶圆厂进行单一反应室研发设备的评估，并得到极高的评价。预计下半年开始，将建置在SEZ多反应室FEOL的高量产生产设备上，届时，效果将更加显著。

SEZ表示，光阻去除制程不仅费时且耗成本，在FEOL制程须达20个以上的步骤才能完成。其中植入光阻的去除制程花费12至15次的作业时间，加上因电浆光阻去除造成的硅氧化，与接下来透过湿式清洗来去除氧化物，不断重复这些步骤明显导致硅晶的累积性损失，因而降低晶体管效能。芯片厂商需克服这些挑战的湿式清洗制程，在减少整体所需步骤，并同时缩短制程时间以及大幅降低成本的同时，去除最少的硅晶。SEZ与重要顾客紧密合作，借重其单晶圆专业技术来发展具弹性的全湿式化学制程，可免去电浆的使用并在高温下去除缺陷，单晶圆设备在这方面提供许多批处理设备所没有的优势如：更好的缺陷控制(减少晶圆到晶圆或是从晶圆一面至另一面的杂质颗粒转移)、更好的制程控制(提升一致性并将基材损失降至最低)、以及最佳的耗材使用率(单晶圆设备可再循环的化学药剂)。

SEZ执行副总裁暨执行长Kurt Lackenbucher指出：『一如我们所有的技术，这款为因应顾客实时且紧急的需求所设计的FEOL光阻去除应用解决方案，能在FEOL领域中创造建置单晶圆的最佳时机。ESA去除制程加上我们即推出之FEOL机台的组合，将提供光阻去除以及残余物清除在一个具有弹性的单晶圆设备内创造出生产快速且性能优异的解决方案。这是我们技术发展蓝图里下一个策略性步骤，主要是预期顾客在整个晶圆厂内都将需要使用单晶圆技术。』