半导体制造商ROHM（总公司：日本国京都市）针对以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业装置用电源逆变器(Inverter)和转换器(Converter)，研发出实现可靠性的保证额定值1700V 250A的全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」。

ROHM推出1700V全SiC功率模组「BSM250D17P2E004」

近年来由於SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在车电和工控等领域的应用日渐广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展，系统亦呈现高电压化的发展趋势，1700V耐压产品的需求与日俱增。然而，因可靠性等因素影响，迟迟难以推出相对应的产品，所以1700V耐压的产品一般均使用IGBT。

在这种背景下，ROHM推出了实现额定值1700V的全SiC功率模组，新产品不仅继承了1200V耐压产品深受好评的节能特性，还进一步提高了可靠性。

此次新研发的模组采用新涂覆材料和全新制程，成功的抑制了漏电流^注1）的增加避免绝缘破坏。在高温高湿偏压测试（HV-H3TRB）^注2）中，实现了极高的可靠性，超过1,000小时也未发生绝缘崩溃现象。因此，在高温高湿度环境下也可以安心地使用1700V的高耐压。

另外，模组中采用了ROHM产的SiC MOSFET和SiC萧特基二极体（SBD），通过最隹化的模组内部结构，使导通电阻性能比与同等SiC产品相比提升10％，非常有助於应用装置的节能化。本模组已於2018年10月开始投入量产。前段制程的制造据点为ROHM Apollo CO., LTD.（日本福冈），後段制程的制造据点为ROHM总部工厂（日本京都）。

在高温高湿环境下确保业界顶级的可靠性

通过采用新涂覆材料作为晶片的保护对策，并引进全新制程，使新模组通过了HV-H3TRB高温高湿偏压测试，让1700V耐压的产品得以成功投入到市场中。

比如在高温高湿偏压试验中，比较物件IGBT模组在1,000小时以内发生了引发故障的绝缘崩溃，而BSM250D17P2E004在85℃／85%的高温高湿环境下，即使外加1360V达1,000小时以上，仍然无故障，表现出极高的可靠性。

优异的导通电阻性能，有助於装置节能化

新模组中使用的是ROHM产的SiC SBD和SiC MOSFET。通过SiC SBD和SiC MOSFET的最隹配置，使导通电阻低於同等一般品10%，这将非常有助於应用装置节能化。

^注1漏电流

功率元件中从绝缘的位置泄漏出来的微小电流。抑制漏电流可防止元件损坏和功耗增加。

^注2高温高湿偏压测试（HV-H3TRB：High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias）

对於在高温高湿环境下使用功率元件时的耐久性进行评估的测试。透过电场和水份所引起的绝缘处漏电流的增加，来检测绝缘崩溃等故障现象。