Vishay为其光电子产品系列中添加一款0.5A MOSFET/IGBT驱动器，该组件的最大低电平输出电压为1.0V，因此无需使用负栅极驱动器。在一个封装中结合了高速光耦合器与IGBT/MOSFET驱动器的隔离式解决方案－新型VO3150－在工业及消费类应用中非常适用于额定电压及电流分别高达为1200V及50A直接驱动的IGBT。

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采用8引脚DIP封装的VO3150可节省终端产品中的板面空间，这些产品包括不间断电源、交流及无刷直流电动机驱动、工业逆变器、开关模式电源，以及等离子显示器面板。

VO3150的高输出电压与正电源电压紧密匹配，因此与需要更高电源电压来提高DMOS或IGBT电源器件性能的应用中采用的其他MOSFET/IGBT驱动器相比，VO3150更具有优势。

VO3150解决了电源半导体组件的常见问题，在这些组件中，当该组件以低于一般规定的20V的栅极-源极电压运行时，输出电压会向前漂移。为避免这种情况，一般规避方法是在栅极驱动输出位置使用分流电阻，这可防止电压向上漂移。由于 VO3150没有展示同样的向上电压漂移，因此通过该器件可无需使用额外组件来补偿这种行为。

VO3150具有5300Vrms的隔离电压，在1500V的VCM时，其共模拒绝最低为15kV/µs，典型为30kV/s。通过以开关频率高于16kHz（超出了人的听觉范围）的高带宽运行，该组件可降低终端产品的噪声。其最大传播延迟时间仅为0.7µs，最大供电电流为7mA，并且具有15V～30V的宽阔工作电压范围，以及过压锁定保护。该组件的工业温度范围介于-40°C～+85°C。