国际整流器公司(IR)日前推出新一代绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台利用IR新一代沟道闸极场截止技术。

IR推出全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台

Gen8设计让Vce(on) 能够减少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：「IR透过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显出我们在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分百变频，藉以更有效使用电能，并且绿化环境。」

新技术针对马达驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt减到最低，从而减少电磁干扰和过压，以提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较狭窄，在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时，可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热阻和达到175°C的最高结温。

潘氏称：「IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越的技术。该IGBT平台凭借顶尖的Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能，把工业市场所面对的艰巨难题迎刃而解。」