摩托罗拉公司于27日表示，该公司已经制造出 4 兆位的磁电阻式随机存取内存芯片。特定的客户目前正在评估这项先进芯片技术的样品。这项技术里程碑，进一步证实了 MRAM 有可能取代多种现有的内存技术的可行性。

摩托罗拉指出，设计者可因系统复杂度与整体系统成本的降低，以及系统效能的提升而受惠。MRAM 不仅信赖性高，而且生命周期长，最适合应用在恶劣环境中使用的产品，或是要求长效运作的系统上，例如：汽车与工业用途。而Honeywell 最近向摩托罗拉 (Motorola) 申请 MRAM 技术授权许可，以便将其应用在军用与航天用途上。摩托罗拉半导体产品部门首席科技长Claudine Simson表示：「我们的 4Mb MRAM 芯片，不仅展现我们的技术，更能够加速产业对 MRAM 技术的接受度。长久以来，我们的努力方向，就是要建立稳定的 MRAM 生产技术能力，目前已经有了长足的进步。我们目前正设法再提升产品的效能以利导入市场，并准备于明年进行广泛样品试验。」

摩托罗拉指出，MRAM初期锁定的目标市场，可能会以需要高速度、高信赖性，以及低耗电的产品应用为主。凡是重视高效能刻录、无限次数的读写耐用性、刻录能源需求低，或是无需任何能源即可保持数据能力的产品应用，都适合使用 MRAM。