力旺電子於日前宣布，其嵌入式快閃記憶體矽智財NeoFlash除可廣泛使用於MCU、消費性電子產品外，近期內已成功實現於觸控晶片與電池容量偵測晶片廠商產品上，提供具成本優勢之嵌入式快閃記憶體解決方案。該產品目前已進入試產階段。

力旺電子表示，因應消費性電子產品提高產品效能、降低功耗與縮小尺寸之需求，IC晶片嵌入使用NeoFlash矽智財將可大幅減少耗電量與整體系統產品之成本。以Gauge IC為例，嵌入使用NeoFlash矽智財將可有效儲存電池操作模式，記錄耗電程度，協助發揮電池之最佳效能，且因製程簡化，使其能較傳統內嵌式快閃記憶體節省至少25%的製造成本。此外，NeoFlash因容量規格涵蓋範圍廣泛(16Kbits~2Mbits)，特別適合須具有高度運用彈性之智慧型手機、平板電腦、微控制器等應用市場，可積極協助客戶推出多樣化產品，滿足客戶不同需求。

力旺電子進一步強調，應用端廠商將力旺電子之矽智財產品嵌入晶片後，只需對晶片進行庫存管理，不須如傳統外掛式快閃記憶體進行額外之庫存管理，更毋需擔心因庫存不足或產能受限而延誤產品上市時間，能具體縮短開發週期，積極協助客戶加速Time to Market之時程。其次，嵌入式矽智財因經過封裝，不容易被盜拷，對於重要資訊的保存更有保障。而NeoFlash系列矽智財最大操作電壓僅需6伏特，且與邏輯製程完全相容，故使用NeoFlash可將外加之光罩數自一般8至9道縮減至2至3道，更大幅降低製程複雜度與生產成本。