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虹晶科技完成更高效能及更省面積之ARM926EJ硬核
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2005年01月10日 星期一

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虹晶科技自今年第三季取得ARM926EJ核心授權後,即成立專案團隊,致力於ARM926EJ之SoC設計服務及整合平台開發。經過不斷的努力及嘗試,終於得到重大的突破及成果。虹晶將自行開發之矽編譯器(Silicon Compiler)技術應用於ARM926EJ硬核之設計,近期在效能提昇及硬核面積上均得到重大突破,一般之實現方法往往必須於在效能與面積兩者之間有所抉擇,但ARM926EJ矽編譯器在不影響功耗的情形下,不僅可提升效能約20%,更在面積方面減少約25%,客戶可藉此設計更有競爭力之SoC。

虹晶開發之ARM926EJ矽編譯器技術係針對ARM926EJ之特殊架構,根據不同之客戶需求,所開發之從RTL設計可快速實現成硬核之自動化設計流程。另外於整合平台之開發亦已成功完成平台之硬體驗證,並已完成多媒體平台整合MPEG4之示範設計平台,軟體驅動程式及即時作業系統亦已開發完成。

另外為配合製程演進及根據ARM926EJ主要應用於手持式裝置,強調省電需求之SoC實現方法,虹晶更將原有之SoC-ImP技術更新為2004.09版本,主要是以0.13微米及90奈米製程的實現挑戰為主要目標。相關之技術更新包括RTL設計之語法自動偵錯的加值服務,客戶可經由虹晶的線上服務,自行檢測設計之語法是否符合各種準則;另外針對不斷增加之內嵌式記憶體,提供了記憶體自動偵測錯誤並自行修復的功能;設計流程也從原先的三個的階段縮減為二個 (RTL Prototype and Silicon Prototype),對於客戶最直接的受惠是設計時程的大幅縮短;針對SoC之特殊架構而發展之架構驅動的時序收斂最佳化解決方案;針對省電之需求,有低功耗設計之最佳化解決方案、以減少約50%的漏電流,降低耗電量之漏電流最佳化之流程及省電特殊原件之設計;降低電源噪音以提高可靠度之設計, …等等新實現技術。

關鍵字: 電子邏輯元件 
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