恩智浦半導體(NXP Semiconductors)擴張其RF Power 電晶體產品線,推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下簡稱LDMOS)電晶體,該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率。
![NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體](/news/2008/11/24/1826145782.jpg) |
NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體 |
針對大範圍的L波段雷達應用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率電晶體設置了新的效率標準(漏極效率大於50%)、增益(17dB)和達500W的耐用度。
恩智浦L波段RF電晶體(BLL6H1214-500)的主要表現參數包括:500W峰值輸出功率(在1.4GHz,100µs脈衝寬度,25%占空比時)、17dB增益、50%漏極效率、更佳的耐用度、能夠承受高達5dB的過驅動能力、更佳脈衝偏差值(低於0.2dB)、供電電壓50V、無毒封裝、符合ROHS標準。