安森美（ON Semiconductor）近日推出，新系列的時脈產生器積體電路（IC），管理時鐘源的電磁干擾（EMI）及射頻干擾（RFI），為所有依賴於時鐘的訊號提供降低全系統級的EMI。

P3MS650100H及P3MS650103H低壓互補金屬氧化物半導體（LVCMOS）

新的P3MS650100H及P3MS650103H低壓互補金屬氧化物半導體（LVCMOS）降低峰值EMI時脈產生器非常適合用於空間受限的應用，如便攜電池供電設備，包括手機及平板電腦。這些便攜設備的EMI/RFI可能是一項重要挑戰，而符合相關規範是先決條件。這些通用新元件採用小型4引腳WDFN封裝，尺寸僅為1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。這些展頻型時脈產生器，是提供最小的獨立式解決方案，及在時鐘源以和源自時鐘源的下行時鐘及資料訊號處降低EMI/RFI。

P3MS650100H及P3MS650103H支援的輸入電壓範圍為1.8V至3.3V，典型偏差為0.45%至1.4%，在時鐘源降低EMI/RFI的頻率範圍在15兆赫茲(MHz)至60MHz。工作溫度範圍為-20 ºC至+85 ºC。

安森美半導體定制工業及時序產品副總裁Ryan Cameron表示，需要符合EMI規範同時控制成本及把印刷電路板（PCB）佔用面積減至最小，是行動應用的重要挑戰。該公司新的降低EMI IC克服這些挑戰，提供在時鐘源及源自時鐘源的下行時鐘及資料訊號處降低EMI/RFI的高性價比方案。設計工程師在設計週期及早採用這些元件，可無須其他方案及加入成本不菲的額外PCB層或遮罩來處理EMI/RFI問題。