為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值。

新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值。瞄準工業和電磁加熱應用。

STPOWER IH2系列IGBT提升了功率轉換效能，以及相關參數效益，例如，低飽和導通電壓Vce（sat），確保元件在導通狀態下耗散功率較小；而續流二極體的壓降低，能夠優化關斷電能損耗，讓在16kHz至60kHz運作頻率的單開關準諧振轉換器效能更高。

新IGBT的耐受性和高效能適用於工業和電磁加熱應用，例如廚房爐灶、變頻微波爐、電鍋等家電設備。在2kW應用中，新型IGBT元件還可以降低功耗11%。此外，Vce（sat）具有正溫度係數效應，元件之間緊密的參數分佈有助於簡化設計，可輕鬆並聯多個IGBT二極體，滿足高功率應用的需求。

該系列前期先推出的兩款元件25A STGWA25IH135DF2和 35A STGWA35IH135DF2目前已量產，採用標準TO-247長引線功率封裝。