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英飛凌推出第一代65奈米嵌入式快閃安全晶片樣本
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2011年11月25日 星期五

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英飛凌(Infineon)近日宣佈,推出第一代65奈米(nm)嵌入式快閃(eFlash)安全晶片樣本,主要用於晶片卡與安全防護應用。這是英飛凌和台積電自2009年合作開發及生產65nm eFlash安全晶片的成果。

首批進入量產的產品將是SIM卡應用的安全晶片,預計將於2012下半年進行製程及產品驗證。在競爭激烈的安全IC市場上,採用65nm技術生產具有相當大的競爭優勢,因為相較於舊有技術,65 nm技術能夠大幅縮小晶片體積,進而提高效率。此外,12吋晶圓亦較8吋晶圓更具生產力。

適用於晶片卡及安全防護應用的65nm eFlash技術將會是英飛凌的技術基石,讓公司得以發揮創新能力,專注開發生產客製化的安全性產品,以最佳成本效益比,針對智慧卡尺寸及其他應用裝置提供適當的安全等級。除與台積電合作開發12吋晶圓外,英飛凌更將合作範圍延伸至90nm eFlash節點。

關鍵字: Infineon(英飛凌
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