國際整流器公司(International Rectifier)推出全新IRF8010 HEXFET功率MOSFET系列，其導通電阻 (RDS(on)) 較先前產品減少一成。全新的IRF8010具有較高的導通電流及較低的導通電阻 (一般為12 mohm)， 因此能大幅提升系統效率。

IRF8010 HEXFET

全新MOSFET以重覆或單脈衝雪崩能量 (EAR及EAS) 為額定標準，溫度可高達175°C。此外，這一系列MOSFET的輸入電容和柵電荷均減少到最低，有助於簡化柵極驅動器電路、減少生產成本，同時增強轉換效能。這些性能特點更使IRF8010 MOSFET成為隔離式電路佈置、高效率不間斷電源 (UPS) 和直流對直流 (DC-DC) 轉換器中最佳的一次側開關裝置。

IR台灣分公司總經理朱文義表示:「馬達控制器製造商可利用全新IRF8010 MOSFET，以更低成本提供直流截波器、交流馬達變流器及直流馬達的應用，並且提升效率、堅固程度和可靠性。」

全新IRF8010 MOSFET完全符合業界品質標準，並提供全方位最佳化的熱阻特性，最適合應用於要求極為嚴格的功率和高溫的環境之中。這種操作情況在推高機、直流截波器和電動車輛等馬達控制應用中非常普遍。

將溫升規格化讓設計工程師可建立適當的功率裕度，更能使長期重載、要求嚴格的功率週期下操作之產品更加可靠耐用。