隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，伺服器電源（PSU）必須在不超出伺服器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，因為高階 GPU 的能源需求激增。至2030 年，每顆高階 GPU 晶片的能耗可能達到 2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技開發電壓 650 V 以下的 SiC MOSFET 產品。繼今年早先發佈的第二代（G2）CoolSiC技術，英飛凌再推出全新 CoolSiC MOSFET 400 V 系列。全新 MOSFET 產品組合專為 AI 伺服器的 AC/DC 級開發，是對英飛凌近期公佈的 PSU 路線圖的補充。該系列元件也適用於太陽能和儲能系統（ESS）、變頻馬達控制、工業和輔助電源供應（SMPS）以及住宅建築固態斷路器。

CoolSiC MOSFET 400 V重新定義 AI 伺服器電源的功率密度和效率，現已發佈產品組合的工程樣品，將於 2024年10月開始量產。

與既有 650 V SiC 和 Si MOSFET 相比，新系列具有超低的導通和開關損耗。這款 AI 伺服器電源供應器的 AC/DC 級採用多級 PFC，功率密度達到 100 W/in³ 以上，並且效率達到 99.5%，較使用 650 V SiC MOSFET 的解決方案提高0.3 個百分點。此外，由於在 DC/DC級採用了CoolGaN?電晶體，其系統解決方案得以完善。透過這一高性能 MOSFET 與電晶體組合，該電源可提供 8千瓦以上的功率，功率密度較現有解決方案提高了3倍以上。

全新 MOSFET 產品組合共包含 10 款產品：5款R _DS(on) 級（11至45 mΩ）產品採用開爾文源TOLL 和 D ² PAK-7 封裝以及 .XT 封裝互連技術。在T_vj = 25°C 時，其汲極-源極擊穿電壓為400 V，適用於 2級和 3級轉換器以及同步整流。這些元件在嚴苛的開關條件下具有高穩健性，並且通過100%的雪崩測試。高度穩健的 CoolSiC 技術與 .XT 互連技術相結合，使這些半導體元件能夠應對 AI 處理器功率要求突變所造成的功率峰值和瞬態，並且憑藉連接技術和低正 R_DS(on) 溫度係數，即便在接面溫度較高的工作條件下，也能發揮出色的性能。

CoolSiC MOSFET 400 V 產品組合的工程樣品現已發佈，並將於 2024年10月開始量產。