恩智浦半導體（NXP Semiconductors）擴張其RF Power 電晶體產品線，推出最新針對L波段雷達應用的橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下簡稱LDMOS)電晶體，該電晶體在1.2GHz到1.4GHz的頻率之間提供高達500W的突破性的RF輸出功率。

NXP針對L波段雷達應用推出RF功率電晶體

針對大範圍的L波段雷達應用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率電晶體設置了新的效率標準（漏極效率大於50%）、增益（17dB）和達500W的耐用度。

恩智浦L波段RF電晶體(BLL6H1214-500)的主要表現參數包括：500W峰值輸出功率（在1.4GHz,100µs脈衝寬度，25%占空比時）、17dB增益、50%漏極效率、更佳的耐用度、能夠承受高達5dB的過驅動能力、更佳脈衝偏差值（低於0.2dB）、供電電壓50V、無毒封裝、符合ROHS標準。