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工研院於沙崙場域示範成果 迎向太陽光電材料與模組新紀元 (2024.10.09)
當淨零永續已成為全球顯學，工研院也在台南沙崙建立多元科技開發與示範應用環境，提供國內外業者研發技術及產業測試、驗證及媒合場域。並於今（7）日舉辦「2024沙崙綠能國際論壇暨成果展會」 |
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Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統（UPS）等工業設備 |
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Kaneka在北海道建置醫療器材製造基地 (2024.09.02)
Kaneka公司總部位於日本東京，為實現產品組合轉型和業務擴展，在北海道苫小牧東部地區設立及啟用Tomatoh製造基地。Tomatoh製造基地是該公司在國內設立的第七個業務據點，也是54年來首次在國內新增的業務據點 |
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為綠氫製造確保高效率且穩定的直流電流 (2024.08.27)
本文探討綠氫的原理，並且展示如何運用功率組件，將環保能源的輸入轉換為具有產生綠氫所需特性的穩定電力輸出。 |
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[自動化展] FLUKE以先進技術 力助客戶確保生產安全與能源效益 (2024.08.23)
在2024年台北國際自動化大展中，FLUKE推出了多款創新產品，包括FLUKE全系列熱像儀、FLUKE太陽能系統量測工具、FLUKE 1770系列電能記錄與電力品質分析儀，以及FLUKE ii910聲學成像儀 |
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Bourns氣體放電管2027-A系列設計符合AEC-Q200標準 (2024.08.07)
為了滿足市場對可靠性、耐久性和法規標準的高需求，美商柏恩Bourns設計推出最新的氣體放電管 (GDT) 系列—Bourns 2027-A，符合AEC-Q200標準，提升在苛刻環境中的可靠性。該系列GDT在一些極端環境應用中所需的先進功能 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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2024台塑企業應用技術交流 產學激盪減碳永續議題 (2024.06.18)
「第19屆台塑企業應用技術研討會」近日在長庚大學登場，2024年以「翻新綠業˙永續淨零」為主題，由台塑企業攜手長庚大學、明志科技大學、長庚科技大學三校參與，共同分享新應用技術及產學合作研發成果，也交流未來研發方向及現階段技術瓶頸 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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運用能量產率模型 突破太陽能預測極限 (2024.04.17)
能量產率模型（Energy Yield Model）由歐洲綠能研究組織EnergyVille成員—比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學（UHasselt）所開發，該模型利用由下而上設計方法，精準巧妙地結合太陽能板的光學、溫度及電氣動力學，正在為太陽能預測帶來全新氣象 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2024.01.02)
隨著全球能源需求於2030年預計將增長30%，同時碳排放量目標擴大至減少45%（控制全球暖化在攝氏1.5℃以內），再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前，人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭，但現在人們轉變思維，更注重人類在地球上的永續生存方式 |
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ST開啟再生能源革命 攜手自然迎接能源挑戰 (2023.12.18)
再生能源正成為攸關人類未來的重要議題。回顧十年前，人們只顧擔憂石油、煤炭和天然氣等資源何時枯竭，但現在人們轉變思維，更注重人類在地球上的永續生存方式。 |
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ST聚焦電動車、物聯網應用 迎合COP28會後減碳商機 (2023.12.15)
適逢近日COP28大會落幕之後發表決議，如依SEMI提醒產業應重視的重點，即在其要求「2030年前提高3倍再生能源裝置容量和2倍能源效率」，進而加速發展碳捕存、道路交通減排等創新技術，並尋求適當的供應商和解決方案來降低成本 |
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杜拜啟動全球最大的集熱式太陽能發電計畫 (2023.12.08)
杜拜「Mohammed bin Rashid Al Maktoum太陽能廠」第四階段工程的全球最大的集熱式太陽能發電（CSP）計畫日前由阿聯副總統兼總理、杜拜酋長Sheikh Mohammed bin Rashid Al Maktoum殿下啟動 |
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Littelfuse新款光隔離光伏驅動器為隔離開關應用提供浮動電源 (2023.12.04)
Littelfuse公司推出新款光隔離光伏驅動器FDA117可產生浮動電源，適用於各行各業隔離開關應用。FDA117專為使用浮動電壓源控制分立式標準功率MOSFET和IGBT裝置設計，可確保低壓驅動輸入側和高壓負載輸出側之間的隔離 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏（PV）系統採用Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件 |
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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
