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半镶嵌金属化:後段制程的转折点?
应对多世代20奈米以下导线间距的RC延迟问题

【作者: imec】2025年01月03日 星期五

浏览人次:【419】

五年多前,比利时微电子研究中心(imec)提出了半镶嵌(semi-damascene)这个全新的模组方法,以应对先进技术节点铜双镶嵌制程所面临的RC延迟增加问题。


当半镶嵌制程与像是??(Ru)等可图形化金属并用时,预计会在RC延迟、面积、成本和功率效率方面带来高效益,提供了一条微缩内连导线的发展道路。


本文回顾这个概念的价值主张、总结最顶尖的??(Ru)半镶嵌技术之挑战和潜在解决方案,并呼吁产学界合作排除导入业界的发展障碍。
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