什么是静电放电事件?
一般而言,一个元件所会遭遇到的最常见电压暂态类型就是ESD,此状况可以定义为在具有不同静电位的两个物体之间,其静电电荷的单一、快速、高电流转换。当我们走过一个绝缘表面(像是地毯)时,往往都会感受到这种状况─储存电荷,然后碰触设备的接地部份,于是就会发生高电流流动通过设备,在短时间内放电的情况。
ICs可能会因为ESD事件所产生的高电压与高峰值电流而受到损害。 ESD事件对于类比开关的影响包括了会随着时间而改变的可靠度、开关性能的降级、通道漏电的增加、或是元件的完全故障等。
ESD事件可能会在IC生命周期中的任一阶段发生,从生产到测试、处理、OEM使用者、以及终端使用者操作。为了要评估一组IC对于不同ESD事件的耐用度,我们会利用电气脉冲电路所建构的下列模拟应力环境之模型来进行验证:人体放电模型(HBM)、电场感应元件充电模型(FICDM)、以及机械模型(MM)。
处理ESD事件的最佳方法为何?
ESD的保护方法像是维持一个防静电工作区等是用来在生产、组装、与储存期间避免任何状况的形成。这些环境以及在其中工作的人员通常都可以小心的加以控制,但是在这之后元件所处的各种环境可能就完全无法控制了。
类比开关ESD保护通常是采用类比与数位输入至供电的二极体型式,而电源供应则采用供电之间的二极体型式,如图14中所示。
保护二极体会限制电压暂态,并将电流转移至供电。这些保护元件的缺点就是它们会在正常作业中将电容与漏电增加到信号路径内,这在某些应用装置中是不容许的。
针对需要对抗ESD事件之更强保护功能的应用装置,像是稽纳二极体(Zener diodes)、压敏电阻(MOV)、暂态电压抑制器(TVS)、以及二极体等是较常使用的分离式元件。然而,它们可能会因为在信号线上额外的电容与漏电而造成信号整合度的问题;这所代表的意义就是设计工程师必须要小心的在性能与可靠度之间加以权衡。
目前有提供什么样的玉封装解决方案?
绝大多数的ADI开关/多工器产品符合最少±2kV的HBM位准,其它产品在耐用度方面则超越此位准,可以达到高达±8kV的HBM等级。 ADG 541x家族成员都已经达到±8kV的HBM等级、±1.5kV的FICDM等级、以及± 400 V的MM等级,使它们成为结合了高电压性能与耐用度的业界领导者。
(作者为ADI爱尔兰Limerick开关/多工器事业群应用工程师)
作者简历
- Michael Manning [michael.manning@analog.com]毕业于National University of Ireland, Galway,取得应用物理与电子学位。他在2006年进入ADI,担任爱尔兰Limrick的开关/多工器事业群的应用工程师。在此之前,Michael在日本与瑞典的ALPS Electric汽车部门中担任了五年的设计与应用工程师。