提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术

为满足高阶移动处理器、云端伺服器网路基础设备等应用需求，晶圆代工大厂格罗方德半导体（GLOBALFOUNDRIES）宣布，将推出其具有7奈米领先性能（7nm Leading-Performance，7LP）的FinFET制程技术，且提升了40％的跨越式性能。格罗方德表示，其设计软体已就绪，使用7LP技术的第一批产品预计於2018年上半年推出，并将於2018年下半年量产。

图一 : GLOBALFOUNDRIES宣布，将推出其具有7奈米领先性能的FinFET制程技术，且提升40％的跨越式性能。

GLOBALFOUNDRIES CMOS业务部资深??总裁Gregg Bartlett表示，该公司的7奈米FinFET制程技术正在按照计画开发，预期在2018年计划宣布的多样化产品对客户将有强大吸引力。在推动7奈米晶片於未?一年中实现量产的同时，GLOBALFOUNDRIES正在积极开发下一代5奈米及其後续的技术，以确保客户能够在走在最前端使用领先全球的技术。

2016年9月，该公司曾宣布将充分利用其在高性能晶片制程中的技术，研发自己7奈米FinFET制程技术的计画。由於晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远高於最初的性能目标。
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