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解析新世代MOSFET 封装技术
以先进封装实现高整合度电源管理设计──

【作者: Alex Mihalka,Jason Chiu】2003年10月05日 星期日

浏览人次:【6441】

由于处理器及其他应用设备对电源与性能的需求均持续增加,而电源供应可用的印刷电路板面积通常与以前的设计相同,这使得电路板面积变得极为珍贵。因此电源供应设计者不断地寻找增加电流密度的新方式以与增加的输出电流齐步并进。其中一个创新的方法是采用先进的封装技术。


新型MOSFET封装技术──DirectFET

DirectFET 是一独特的全新 MOSFET 封装,其中硅芯片直接贴装在印刷电路板上。芯片构造类似通常用于目前 DC/DC 转换器内的 FET,其中源极与闸极接地是在芯片的一面上,而漏极接地是在另一面或基板上。(图一)的粉红表面是芯片的钝态层,用于隔绝湿气。两个大接头是源极接地,而小的接头是闸极接地。贴装到印刷电路板上的 DirectFET 的侧面图显示漏极硅透过导电与导热注银环氧(silver-filled epoxy)连至一个涂银的铜金属外层。铜金属外层围绕芯片的两面以连至印刷电路板,提供漏极接地至线路板。
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