雪崩耐用功率开关

防止输入线路波动或过电压的可能解决方案之一是采用坚固耐用的功率开关。大多数整合式功率开关内置MOSFET来达成功率切换。在功率开关两端的高电压超出其额定值并导致雪崩击穿的情况下，典型的现代功率MOSFET能够承受一定程度的压力。然而，抗压程度会因设备技术或晶片设计的不同而有很大差别。图1显示了一个示例。两台设备在导通电阻规格上非常相似。 但在未钳制电感性切换(UIS : unclamped inductive switching)测试中，FSL系列的电流位准比故障时高10倍以上。这意味着FSL系列在设备发生故障之前可承受高许多的电流或能量压力； 在此情况下可达424mJ:3.67mJ。 FSL系列中的内部功率MOSFET采用垂直DMOS结构，而竞争对手的设备采用横向DMOS结构。通常，用于飞兆FPS? 功率开关设备的垂直DMOS结构被认为更适合高压、高功率MOSFET。横向DMOS结构更适合逻辑电路集成，但在承受高度能量压力方面不如垂直DMOS。 事实上，很难找到未钳制切换条件，因为大多数反激式转换器包括缓冲器电路，其在关闭功率开关期间钳制高电压尖峰。然而，缓冲器电路不能始终保持峰值电压低于功率开关的最大额定值。在异常情况下，如输出短路或输入线路过电压，功率开关可能被击穿。在这种情况下，更好的耐雪崩能力有助于提高反激式转换器可靠性。

图一 : 内部MOSFET的UIS特点

带有输入过电压保护的FPS功率开关（FSL MRIN系列）
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