本文讨论的是如何在高功率的应用中，采用硬式切换方式替代传统共振方式。硬式切换的功率架构提供系统上的优势，例如复杂度较低，较高的内在可靠度，因此，能降低系统成本及加快上市时间。经过改善后的功率开关，开启状态时的电阻更低、切换的过渡更快速，使硬件切换和共振间的效率落差稳定地减少。本文中将叙述现今服务器和电讯电源供应器的最新架构，方式是以两个采用主动式（Active）PFC的1000W参考电路板系统，其主功率级采用的是相移（phase shift）ZVS全桥（full bridge）或用交插式（interleaved）双晶体管顺向转换器（forward converter）做比较。在一个硬式切换系统中采用全新的高压功率MOSFETs，从主功率级量测至输出连接器的性能来看，可以达得超过91％的最大效率。与在共振系统中采用次佳的MOSFET的最大可达效率比较，这个结果显示出相同，甚至更好的效率。

应用于运算和通讯中的电源供应器，一直面对增加功率密度需求的压力，在相同或更小的尺寸中，被要求能供应比以往产品更多的功率。举例来说，许多终端客户都要求在相同的外壳和尺寸中，能将输出功率升级20～30％，而且借着效率的提升，必须能够有效的控制散热的问题。于是，在这前提下产生了数个需求：改善半导体和被动组件的效益及创新架构，从全新半导体组件之功能中获得有利的好处。低电压隔离式的DC/DC作法提供了一些新方式和技术，能够改善磁性和被动组件的使用，但是这些作法常常无法很顺畅地扩展至较高的电压和功率，因为和低压半导体装置相比较，高压方面的性能受到相当的限制。

本文将探讨最近发展的高压超接合面（super junction）功率MOSFET以及硅晶碳化物Schottky二极管，并比较采用硬式切换或共振方式在性能、系统成本和可靠度方面的优缺点。
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