电子高峰会：晶圆制程挑战多 Tela绝招走江湖

当晶圆制程从45奈米进入28奈米甚至更微型化的阶段时，其所需面对的问题则更为复杂，在实体架构设计（physical design）、DFM（design for manufacturing）、光学微影技术（Lithography）和漏电流等制程上的挑战更为严峻。

越来越微型化的晶圆制程，带给光学微影技术越来越严厉的技术难题。微影技术是透过提高解析度制作更小线宽尺寸的方式，来提高IC密度进而降低显影成本。光源波长和光源波的尺寸是其关键，微影技术所使用的光源波长越短、尺寸越小，解析度会越高。或者，也可以采用双重曝光成像（double patterning）的方式来提高显影解析度。不过双重曝光成像成本较高，图案布局也较复杂，因此釜底抽薪的办法，就是从革新微影技术的光源内容着手。

Tela Innovations市场行销??总裁Neal Carney则表示，随着奈米制程微型化，IC密度不断缩小，晶圆上的图案间距和目标会更小，无论是单次曝光（single patterning）还是双重曝光成像，都已藉由浸润式微影技术中透过水较高的折射率，增加透镜的数值孔径（NA），来缩减图案尺寸。进入到28～20奈米制程阶段，技术上还是以193nm的深紫外光、结合1.35NA的浸润式微影技术（immersion lithography）为主。至於大家不断讨论到波长13.4nm的次世代超短紫外光（Extreme Ultra Violet；EUV），在技术上仍有许多不确定因素，因此浸润式微影技术应该还是下一世代28～20奈米制程的主流微影技术。
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