90奈米製程已為業者開發技術的下一個主流，但實際上130奈米仍有許多技術問題有待解決，而業界又匆匆趕往65、45奈米技術開發，因此半導體製程問題彷彿堆積木般，堆得越高，製程反而越不穩定，往往無法提供足夠的安全感。由於製程問題繁多，本文只針對銅製程、微影、光罩等重要製程做一概略的討論，另外簡略介紹90奈米製程的發展現況，讓讀者了解這一新製程的現況。

90奈米發展概況

目前半導體產業進入奈米製程階段的企業，最著名即為英特爾（Intel）、台積電、聯電等。今年8月英特爾發表多項90奈米製程的相關新技術，並且對外表示已利用90奈米製程生產晶片結構及記憶體晶片，預計明年將於12吋晶圓廠量產。英特爾的90奈米製程，整合7層的銅導線，並結合248奈米、193奈米波長的蝕刻設備。製造長度僅有50奈米的電晶體，比Pentium 4處理器內部60奈米的電晶體長度還小。這些電晶體內含之閘極氧化物的厚度僅有五個原子層（1.2奈米），而細薄的閘極氧化層能提升電晶體的速度。
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