格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位

隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸置疑，正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期。

圖一 : (左起)格棋化合物半導體業務處長吳義章、董事長張忠傑、人資長賴雅玲

張忠傑強調，格棋作為台灣少數具備自主長晶與製程能力的業者，將於今年第四季正式登錄興櫃，藉此推進資本與技術的雙重布局。他表示：「碳化矽並非快速爆發的市場，而是仰賴長期技術壁壘與應用黏著度。格棋的目標，就是要在這個關鍵材料鏈中建立穩固而有韌性的地位。」

根據Yole Group最新《Power SiC 2025》報告，2030年全球碳化矽功率元件市場將突破103億美元，年均複合成長率達20%以上。報告顯示，6吋晶圓仍是現階段主流平台，並在價格與良率上具備成熟優勢；而8吋晶圓則將在未來數年逐步放量，與6吋長期並存。

對此，張忠傑表示，格棋目前仍以6吋平台作為量產主軸，確保規模效益與成本優勢；同時，公司已完成8吋晶種長晶與熱場模組設計的前期驗證，將依據客戶產品世代與應用需求，適時導入。「我們的雙平台布局，能讓國際客戶同時擁有穩健與前瞻的選擇，這是格棋的核心競爭力之一。」

格棋近年積極投入自主設備與製程開發，建立完整的垂直整合體系，涵蓋長晶、晶棒加工到晶圓出貨。張忠傑指出，公司聚焦於四大技術核心：原材料物性控管、籽晶沾黏精度、熱場參數設計與模組結構穩定性。透過這些優化，格棋有效降低結晶缺陷密度，提升導電穩定性與良率，達到國際一線水準。

在產能擴充上，格棋預計於2025年底前將長晶爐數量提升至百台規模，搭配自主切割與檢測能力，確保交期可控與彈性擴產。目前產品已涵蓋電動車主驅模組、光儲逆變器與AI伺服器等應用，並陸續進入國際客戶驗證。

面對地緣政治與供應鏈重組挑戰，格棋導入「虛擬IDM」模式，從原料來源、長晶到設計驗證，整合上下游合作夥伴，提供一站式材料與模組服務。張忠傑表示，這不僅能提升交期掌控力，也能因應不同區域客戶的在地需求，提供即時支援與技術配套。

目前，格棋已啟動北美、日本與歐洲的合作計畫，未來將依業務拓展進度設立技術據點，加速碳化矽在高功率應用領域的落地。

展望未來，張忠傑認為，全球碳化矽競爭正進入新的關鍵期。格棋將透過持續的製程深化與國際鏈結，推動台灣第三類半導體的產業升級。

「興櫃對我們來說，不只是資本操作，而是向市場展現我們的技術透明度與營運信心。」張忠傑說。透過興櫃，格棋將進一步加大研發投入與產能擴張，建立起技術與資本的良性循環，並為台灣在全球碳化矽材料鏈中打造更具戰略價值的位置。