美國Ramtron公司記憶體(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得記憶體產品同時擁有隨機存取記憶體(RAM) 和非揮發性貯存產品的特性。

記憶體材料的工作原理是：當我們把電極加到鐵電晶體材料上，晶體中的中心原子會沿著電場方向運動，到達穩定狀態。晶體中的每個自由浮動的中心原子只有兩個穩定狀態。一個我們拿來記憶邏輯中的０，另一個記憶１。中心原子能在常溫，沒有電場的情形下停留在此狀態達一百年以上。記憶體不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數據。(圖一)

由於在整個物理過程中沒有任何原子碰撞，FRAM擁有高速讀寫，超低功耗和無限次寫入等超級特性。
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