因為通訊產品和網路的蓬勃發展，上一波經濟成長維持了十年多的景氣榮景。上一波景氣在上一世紀的最後一年之第三季開始走下坡，不景氣時間愈拖愈久，隨著網路泡沫化，不景氣更形嚴重。

美國聯邦準備理事會多次調降基本利率，正要帶來春天的燕子，到太平洋彼岸。不料，2001年9月11日發生紐約世貿中心雙塔被飛機炸彈攻擊事件，財產損失已經夠嚴重，而心理層面的悲觀，促使美國人民與企業減少消費性支出。經濟學評估，911事件將延後美國景氣復甦至少六個月。台灣的經濟景氣循環受美國影響很大，電子產業尤然，可謂如影隨形。

半導體產業現況及趨勢

產值已是全世界排名第四的台灣半導體晶圓業，正處在最寒冷的冬季，台積電與聯華電子產能利用率大為降低，與過去榮景比較，利潤微薄。生產記憶體的晶圓廠更慘，128MB DRAM市場現貨價格由當初每顆20美元，跌落到1美元。

預計2001年將有三到五家公司加入五十億元俱樂部。所以台灣的晶圓廠勢必要檢討公司營運計劃，緩建新廠，減少財務支出。除此之外，現存晶圓廠必須趁不景氣、生產設備使用率低時，利用空擋，開發下一代製程。今年第一季0.18um製程已成為成熟的主流製程，跳躍過0.15um，晶圓廠已加速開發0.13um製程。許多知名的半導體產業研究機構預測西元2003年將走到0.1um製程。

製程研發現況

目前晶圓廠曝光機大多用波長為248 nm的光源，若走到0.1um製程，特別精準層必須開始使用193 nm的光源。事實上台灣已有三到五台193 nm的曝光機，但其微影製程（ lithography ）尚未開發成熟，若要繼續使用248 nm曝光機，則必需要用相位移光罩，或附有光學近接干擾修正（optical proximity correction，簡稱OPC）圖案的光罩。

光罩工業現況

在1998年左右，台灣新成立三家光罩公司，加上原來的兩家獨立光罩公司（merchant mask shop）及兩個晶圓廠附屬光罩部門（captive mask shop），非常短期間內，因為光罩產能超過需求，流血競爭，許多光罩廠虧損累累。西元2000年是台灣光罩業的整合（consolidation）年，一連串的合併，台灣光罩廠減少為如(表一)所列的五家。

如表所示，光罩產值平均以每年約以60％以上成長。年輕的光罩廠也在2000年時轉虧為盈，並在2001上半年嚐到利潤大幅增加的甜頭。隨著不景氣時間拖得愈來愈長，光罩廠利潤在下半年開始下降。根據現況及景氣不知何時回升，今後一、二年應該不會有新光罩廠加入，否則殺戮戰場又將重現。

光罩及光罩製程技術

在光罩的製作技術部分，大致可以分成傳統光罩、相位移光罩技術（ Phase Shift Mask；簡稱PSM）、光學近接修正光罩技術（Optical Proximity Correction；簡稱OPC）等三種。

三種技術區別

傳統光罩的精密程度不高，適用微距（critical dimension; 簡稱CD）較寬的製程。相位移光罩是利用不同相位的光源，來消除光之干射及繞射現象，主要功能為提高解析度、及景深（Depth of Focus；簡稱DOF），從而增加微影製程的Process Latitude，被應用在精密程度較高的製程。光學近接修正主要用來修正晶圓微影製程時，因設計線路所在環境不同，而造成晶圓線寬的分布不均，及修正線路端造成線端縮短的現象。

目前各光罩廠正積極開發給0.13um晶圓製程的光罩製程，兩年後就需要0.1um晶圓製程的光罩。當解析度要達到0.4um （0.1 x 4）時，現有的雷射光罩讀寫機（laser writer），無法解析出來，必須使用電子束光罩讀寫機（Electron Beam writer）。並且為了達到嚴謹的線寬均勻度（CD uniform）要求，電子束讀寫機必須在長期間內保持高穩定性曝光（其實是曝電子）能力。市面上已有高穩定性電子束讀寫機，且解析度極佳，這種讀寫機可用來製造型有OPC structures的光罩。

兩種蝕刻法

過去傳統光罩（Binary Mask）都用濕式蝕刻法（wet etch），因為其本身蝕刻特性，用來做0.13um或0.1um光罩相當困難。乾式蝕刻法（dry etch，使用電漿）具有不等向蝕刻（anisotropic etch），small process bias，和較佳的均勻度等長處，被用來製作高階（high end）傳統光罩。乾式蝕刻法也有它的弱點。因為它的製程特性，容易在光罩上造成缺陷，且缺陷數目多，缺點修補困難，若無法修補大缺陷，或修補耗時太多，則必須重做光罩。如何減少缺陷，提高乾蝕刻製程良率（yield），對工程師是一大挑戰。

做到0.1um製程，晶圓廠在關鍵層（critical layers）可能使用193nm的曝光機，如微影製程須要更大的製程操作空間（process latitude），可使用半透光相位移光罩（Half Tone Phase Shift Mask）。業界使用的半透光材料主要是氮氧基矽化鉬（MoSiOxNy），日本供應商已用MoSiOxNy做出6%透光率的空白片（mask blanks），適用193nm波長，唯材料均勻度及缺陷控制，仍待改善。參考(圖一)、(圖二)。

《圖二 傳統光罩製程》