IR推出25V DirectFET MOSFET晶片組

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點(POL)轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。

圖一 : IR推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點(POL)轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。(圖片來源:廠商)

新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻(RDS(on)) 非常低，也同時具備極低的閘電荷(Qg)和閘漏極電荷(Qgd)，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6710S2控制MOSFET擁有極低的閘電阻及電荷，而且，當與IRF6795M和IRF6797M這些包含整合式蕭特基 (Schottky) 整流器的同步MOSFET作協同設計時，能夠為高頻、高效率DC-DC轉換器提供解決方案，讓整個負載範圍也可以發揮卓越性能。」
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