台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級

台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產。

圖一 : (TSMC)

根據台積發表內容，與N3（3奈米）製程相比，新技術在提升15%密度的同時，提供了高達15%的速度提升，或30%的能效提升。

台積電表示，N2是「四年多努力的成果」。現今的電晶體，鰭式場效電晶體(FinFET)，其核心是垂直的矽鰭片。奈米片或環繞閘極電晶體則是以一堆狹窄的矽帶取代。
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