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格棋化合物半導體榮獲第22屆台灣金根獎

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台灣碳化矽(SiC)材料廠格棋化合物半導體獲第22屆台灣金根獎肯定。台灣金根獎以「深耕台灣、佈局全球」為核心精神,表揚以台灣為營運根基、具備國際市場拓展能力與產業競爭力的企業。格棋此次以中小企業組「半導體及數位科技」領域獲獎,展現公司自2022年成立以來,持續投入SiC材料、長晶製程與大尺寸晶圓技術的成果,也反映台灣在第三代半導體材料端建立自主能力的產業意義。



圖一 :   格棋榮獲第22屆台灣金根獎肯定,由格棋國際業務代表葉伊翎(中)代表出席受獎
圖一 : 格棋榮獲第22屆台灣金根獎肯定,由格棋國際業務代表葉伊翎(中)代表出席受獎

隨著AI資料中心、電動車、再生能源與先進封裝快速發展,功率元件正朝高電壓、高頻率與高功率密度演進,材料品質成為系統穩定運作的基礎。SiC具備高崩潰電場、高熱導率與高溫運作優勢,過去多應用於電動車與再生能源系統,如今在AI資料中心電源架構、先進封裝散熱與高效能運算平台中,重要性持續提升。格棋董事長熊觀明表示:「第三代半導體是台灣下一個十年的重要戰略機會。此次獲得金根獎,是對團隊長期投入技術研發與製造落地的鼓勵,也代表產業對台灣建立關鍵材料自主能力的期待。」


格棋以台灣作為研發、製造與技術決策中心,主要生產據點位於桃園中壢。中壢一廠已投入量產,聚焦6吋與8吋SiC晶錠、晶棒及晶圓生產;中壢二廠則持續建置,規劃擴充8吋量產能力並建立12吋試產線。格棋目前產品涵蓋6/8/12吋導電型SiC晶錠與晶圓、6/8吋半絕緣型SiC晶錠與晶圓、導電型籽晶及高純度碳化矽粉。公司以原材料物性控管、籽晶沾黏精度、熱場參數設計與結構穩定性為核心,累積逾千次晶體生長經驗,並將SiC晶體缺陷密度壓低至102/cm2以下,提升大尺寸晶圓量產所需的一致性與可靠度。


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