快捷半導體公司於日前宣布，推出結合N溝道MOSFET和肖特基二極體的器件FDZ3N513ZT，占位面積僅為1mm x 1mm，以滿足客戶需求和發展趨勢。

圖一 : 快捷半導體推出新款升壓轉換器

FDZ3N513ZT是升壓轉換器中的主要元件，用以驅動串聯白光LED，為智慧型手機的顯示螢幕（以及按鍵，如果有鍵盤的話）提供照明。FDZ3N513ZT結合了一個30V 整合式 N溝道MOSFET 和一個肖特基二極體，具有極低的輸入電容（典型值45pF）和整體閘極電荷（1nC），以提高升壓轉換器設計的效率。FDZ3N513ZT採用1mm x 1 mm WL-CSP封裝，與採用1.6mm x 1.6mm封裝的器件相比，可節省60% 的電路板占位空間。

快捷表示，FDZ3N513ZT是快捷半導體全面的先進MOSFET系列的一部分，能夠滿足業界在充電、負載開關、DC-DC和升壓應用方面對緊凑、扁平的高性能MOSFET之需求。
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