英飛凌參加德國紐倫堡PCIM 2015展會

（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出英飛凌與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組合，此外也將展出GaN（氮化鎵）產品，以及許多源自英飛凌「從產品思維到系統洞察」策略的創新解決方案。英飛凌此次展出的重點產品說明部分如下。

圖一 : 英飛凌（Infineon）於歐洲PCIM 2015展會首度展出與國際整流器公司（IR）整合後的功率產品組

超接面MOSFET技術的持續精進，是滿足現今硬切換及軟切換功率轉換電路在效率、尺寸及成本需求的關鍵。其中CoolMOS C7 600 V技術讓效率大幅提升，不僅使功率密度顯著增加，也奠定朝向「類氮化鎵」低切換損耗發展的基礎。全新MOSFET系列是業界率先突破每 mm2 1 Ω RDS(ON) x A 限制的產品。

為因應耐用性應用需求的持續提升，英飛凌推出高功率的IGBT模組可涵蓋從3.3至6.5 kV完整電壓範圍的 IGBT 晶片。其中高功率平台具備可擴充性，能夠大幅簡化系統設計和製造。此外，其封裝技術具備堅固的架構，提供產品的長期可靠性。
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