傳統上設計毫米波電路，通常是使用SiGe BiCMOS或Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體來實現。但由於CMOS製程快速的進步，以及低成本、高電路整合的優點，使得CMOS毫米波電路設計受到矚目。雖然CMOS電晶體的基底具較高的耗損性，以及電感的品質因子甚低，CMOS半導體技術仍然擁有製作微波及毫米波積體電路的潛力。鎖相迴路以及頻率合成器廣泛地應用在現代的無線通訊系統中，然而壓控振盪器以及除頻器的效能，限制了它們的最高操作頻率。因此，一個可以操作在高頻的除頻器，將是設計CMOS高速鎖相迴路的挑戰之一。除頻器的設計，主要可以分成兩大類：數位型態和類比型態。數位型態的除頻器，主要是以D型正反器（D flip-flop）的方式實現。它們的優點是操作頻寬較寬、多變的除數以及較小的面積，但速度與功率消耗是主要的缺點。類比的實現方式主要包含：注入鎖定式（injection-locked）以及米勒（Miller）除頻器。雖然具有狹窄鎖定範圍的缺點，但是基於高速操作以及低功率消耗的考量，類比式除頻器仍然是毫米波頻段的熱門首選。

除頻器的種類

數位式除頻器
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