突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM

法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭。

研究團隊透過垂直整合氧化鉿鋯（HZO）薄膜製成的鐵電電容器，在相同的22奈米製程下，實現了比標準SRAM小2.5倍的記憶體晶胞，其密度堪比更先進的10奈米製程SRAM。更重要的是，與斷電後資料即消失的SRAM不同，FeRAM具備非揮發性，能在無電源狀態下保留數據，完美結合了非揮發性與高密度兩大優點。

論文第一作者Simon Martin表示：「這種基於3D鐵電電容器的FeRAM技術，實現了非揮發性記憶體陣列的高速、高密度與低電壓運作。對於超低功耗邊緣AI、高效能運算、航太與國防系統以及物聯網平台等高效能嵌入式應用而言，這項突破是非常強力的候選技術。」
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