英飛凌TRENCHSTOP IGBT7技術推出TO-247封裝

英飛凌科技繼推出EconoDUAL和Easy封裝的TRENCHSTOP IGBT7技術之後，近日再宣布推出基於分立式封裝，崩潰電壓為650V的TO-247封裝版本。

圖一 : TO-247封裝版本的IGBT7尤其適用於工業馬達驅動、功率因數校正、太陽能光電和不斷電系統等應用

最新的TRENCHSTOP系列產品組合包含20A、30A、40A、50A和75A等級的額定電流，既可用於取代前代技術，也能與前代技術並行使用。該版本的IGBT7尤其適用於工業馬達驅動、功率因數校正、太陽能光電和不斷電系統等應用。

由於採用新型圍溝槽技術，TRENCHSTOP IGBT7晶片的靜態損耗大幅降低。在相同的電流等級下，TRENCHSTOP IGBT7的導通電壓可降低10%。這使應用的損耗大幅降低，尤其是通常在中等開關頻率下運作的工業驅動應用等。IGBT T7 技術具有非常低的飽和電壓(V_CE(sat) )，並與第7代射極控制二極體(EC7)共同封裝，正向電壓(V_F)可降低150mV，同時還能提高反向恢復柔性。
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