绝缘层上覆硅（Silicon on Insulator；SOI）是一种基板技术。传统的硅晶圆正逐渐被含有三层结构的工程基板所取代，采用以SOI为基板的设计，芯片制造商可在半导体制程中，继续使用传统的制程与设备。

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而SOI晶圆层转换以及接合的Smart Cut技术，是法国研究机构CEA-L?ti为Soitec以及Soitec的授权厂商所专利研发，对于高产量的工业制造是实用且稳定可靠的技术。Smart Cut如今在全球薄型SOI市场中拥有超过90％的市占率。

Soitec总裁暨执行长Andre-Jacques Auberton-Herve指出，Smart Cut技术可用来将晶圆基板材料（例如硅）所生成的超薄单晶体层移植到另一个表面。该技术采用离子植入以及原子解剖刀活性化制程作为一种原子解剖刀（atomic scalpel），逐一将晶圆水平横向切割，将薄层从施体基板上提起，然后再放置于新基板上。这种流程提供良好的控制力，且同一个施体基板能重复使用，配合后续组件层的移动作业。

目前SOI在整体晶圆市场中约有4～5％的市占率，每年以大约40％的速度成长。预计在2010年之前，SOI市场将达到10亿美元的规模。而占有SOI市场80％的主要成长力道包括支持各种消费性电子与商务应用的高效能、低耗电微处理器。其他应用包括车内网络、射频以及高功率/智能型电源供应器。此外，新开发的领域还包括超低功耗应用；结合微机电传感器与逻辑组件的SoC解决方案；结合光电、射频以及逻辑组件所构成的小型ASIC。SOI也可用于提升BiCMOS、电源与高电压组件的效能，以及高温环境专用电路的效能。

SOI的主要优点就是能降低耗电量，因此适用于各种行动装置，以及降低各种电子组件之耗电量。SOI除了应用在PC与商务运算市场，也已扩展至消费性市场的版图，以及汽车应用与行动装置市场。以采用SOI技术的Cell芯片为例，IBM与合作伙伴将该组件推广到许多高效能消费性电子应用，如数字电视、家用媒体服务器以及支持医疗与保全应用的3D影像技术。综观整个制程，在SOI晶圆上制造芯片，能节省成本并开发更多元化的产品。预期随着业界从90奈米转移至65奈米以下制程，拥有Smart Cut技术专利的Soitec也将逐渐拓展并深化市场。而在尖端技术方面，Soitec两项先进基板的技术策略有助45奈米技术的发展。其一为高效能方面，另一项则是SoC应用，其中包括各种低耗电与可携式射频组件。

Auberton-Herve表示，Soitec在SOI晶圆市场的市占率约为80％，而其Smart Cut技术的授权厂商在SOI晶圆市场中又占了10％，因此整体而言，Soitec的Smart Cut技术在薄型SOI晶圆市场共占90％的市占率。Smart Cut技术类似一组工具套件，可用于开发不同种类的晶圆。虽然市面上还有许多制造SOI晶圆的方法，但Smart Cut技术具足够的稳定性以应付高产量环境的需求，并有足够的弹性让业者针对顾客不同的规格需求开发课制化解决方案。而Soitec于2005年在台北设立东南亚直销办公室，负责支持台湾与新加坡的业务。未来更将致力与各大晶代工厂密切合作，协助客户将SOI加快转移至新一代技术环境。