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Ansys多物理场解决方案通过台积电3D-IC封装技术认证
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2020年08月31日 星期一

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Ansys先进半导体设计解决方案通过台积电(TSMC)高速CoWoS-S (CoWoS with silicon interposer)和InFO-R(InFO with RDL interconnect)先进封装技术认证。这让客户针对整套整合2.5D和3D晶片系统,签核耗电、讯号完整性和分析热效应冲击,确认其可靠度。

展示多晶片整合的Nvidia晶片。图片由Nvidia提供。
展示多晶片整合的Nvidia晶片。图片由Nvidia提供。

台积电针对下一代CoWoS-S和InFO-R先进封装技术,认证包含Ansys Redhawk-SC Electrothermal的Ansys RedHawk和Ansys RaptorH系列多物理场解决方案。该认证涵盖晶粒和封装共同模拟与共同分析,以便进行萃取、耗电和讯号完整性分析、耗电和讯号电子迁移(EM)分析以及热分析。该全面的耗电、热、讯号完整性和EM分析工具套件有助於模拟、计算和减少可靠度问题,进而实现最隹电机效能。

台积电设计建构管理处资深处长Suk Lee表示:「我们结合Ansys的多物理场解决方案和台积电的CoWoS以及InFO先进封装技术的合作成果,帮助双方共同客户应对设计的复杂度和挑战。我们透过与Ansys的长期合作,帮助客户改善和验证其最先进设计,以满足严格的效能和可靠度标准。」

Ansys??总裁暨总经理John Lee表示:「客户为了满足Wi-Fi系统、5G行动装置和高速无线组件的严格可靠度要求,需要全面的多物理场解决方案,以解决跨越整套晶片、封装和系统的耗电、可靠度和热问题。我们与台积电合作,运用顶尖的多物理场模拟平台,帮助客户克服这些挑战,实现首次设计就成功,并加速产品上市时程。」

關鍵字: 3D IC  Ansys  台積電 
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