盛美半导体设备发布了新产品—Ultra ECP GIII电镀设备，以支援化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔制程中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。 Ultra ECP GIII还配备了全自动平台，支援6英吋平边和V型槽晶圆的批量制程，同时结合了盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现最佳性能。

盛美半导体设备董事长王晖表示，随着电动汽车、5G通信、RF和AI应用的强劲需求，化合物半导体市场正在蓬勃发展。一直以来，化合物半导体制造制程的自动化水准有限，并且受到产量的限制。此外，大多数电镀制程均采用均匀性较差的垂直式电镀设备进行。盛美新研发的Ultra ECP GIII水准式电镀设备克服了这两个困难，以满足化合物半导体不断提升的产量和先进性能需求。

盛美的Ultra ECP GIII设备通过两项技术来实现性能优势：盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术。第二阳极技术可通过有效调整晶圆级电镀性能，克服电场分布不均造成的问题，以实现均匀性控制。它可以应用于优化晶圆边缘区域图形和V型槽区域，并实现3%以内的电镀均匀性。

盛美的高速栅板技术可达到更强的搅拌效果，以强化质传，从而显著改善深孔制程中的台阶覆盖率，同时提升的步骤覆盖率可降低金薄膜厚度，进而为客户节约成本。