2010年全球DRAM市场容量需求高达44%，其中LCD TV、智能型手机以及工业应用需求成长高于市场平均。也因需求大，平均售价高，带动营收创下历史新高，但MIC产业分析师李晓雯认为，下半年供需比将呈现不平衡状态，DRAM价格将逐步下跌，尤以现货表现明显。其中，三星于五月大幅度调整内存资本支出，成为DRAM价格下跌幅度的最大影响关键。

由于上半年DRAM市场看俏，三星于五月份大幅度调整内存资本支出用途，DRAM制程从56奈米转至46奈米与35奈米，更大举扩张产能。首先先把原本生产DRAM的austin厂改为生产12吋NAND Flash与次世代内存（line_16），并新增一座月产能目标为20万片的12吋厂，预定生产DRAM与NAND Flash。至于现有的12吋厂30奈米生产线（line_15）也有所增加。

李晓雯表示，此次调整的资本支出对于2010年整体产能挹注不大，但2011年第三季之后，当新增的line_16开始量产，对台湾厂商影响可能相当巨大。虽然三星并未说明投资高达12兆韩元的line_16产能如何分配，但是假设产能满载的情况下，有一半为生产DRAM，则会使全球DRAM位产出增加约1成，而且到了2011年底，三星这只大怪兽的DRAM产能可能会超过整个台湾的产能总和。

三星同时也是标准型DRAM产品制程量产速度最快的厂商，预估至2011年上半年，就可量产35nm制程的2Gb DDR3产品。

至于台湾DRAM厂商，由于如茂德、力晶持续增产，2010年上半年12吋DRAM晶圆出货乃逐步上扬趋势。第三季因华亚科处于制程转换，整体出货量的微幅成长仅靠南科增加产能维持，第四季华亚科重新加加入生产行列，成长幅度可望提升。