工研院量测中心日前宣布将与美国Accent Optical Technologies共同合作研发65奈米微影制程迭对量测技术，其量测范围可精确到2奈米（nm），此技术将可提供国内下一代半导体产业制造量测过程之用。

由于半导体制程的关键尺寸（Critical Dimension）设计逐年缩小，相对的微影迭对量测精确度就要逐年提高，于半导体制程中（Layer to Layer）间的迭对（Overlay）精确度，传统显微镜判读的方法已无法达到其要求，量测中心与美国Accent Optical Technologies 公司正式签约合作，共同研发最新的微影迭对量测技术。这项最新的 65奈米微影制程迭对量测技术，精确度可达到2.0 nm。

量测中心表示，根据ITRS（International Technology Roadmap of Semiconductor） 2004年的研究报告指出，半导体产业对于线距的要求已由过去的107奈米缩小到现在的90奈米。另外，对于微影迭对量测的准确性要求，也从过去的3.5奈米减少为3.2奈米。未来半导体产业进入65奈米制程，也必须达到2.3奈米的精确量测范围。这一次的合作，将利用全新量测技术物理特性增加可分析的数据，以降低制程中可能产生的误差，并藉由雷射散射（Scatterometry）和亮域显微（Bright-field Microscopy）原理提升量测精密度并降低量测仪器所产生的误差。