国家硅导计划的硅导办公室与英特尔（Intel）微电子服务事业群（IME），今日于交大共同举办前瞻性 ASIC 设计技术论坛，并表示ASIC将快速往深次微米制程技术发展，预计0.13微米于2004年市场将可成长至50％以上。然而深次微米的发展流程遇到瓶颈，使得产业要求改进设计流程的呼声越来越大。

根据EE Times报载，今年四月EDP-2002（Electronic Design Processes）研讨会的出席者一致同意，深次微米的设计流程需要做大翻修（overhual）。San Diego的California大学教授Andrew Kahng表示，这已不是「点」的能力，而是怎样用「方法」的问题。因此，如何从RTL sign-off、High-level modeling及平台基础设计着手，是产学业界改进流程的方向之一。

Intel表示，SoC IP将朝策略合作伙伴产业发展，而且IP以可再利用（Reusability）为主要使用方式，IP界面标准需求，如系统标准（SFI、SPI、XAUI、XGMII）OCPIP等等；SoC IP质量标准则以实际电力供给模式、实际组件内接线模式、质量标准及测试标准为依归。