工研院分别携手国立阳明交通大学与国立清华大学，在全球半导体领域顶尖之「超大型积体技术及电路国际会议」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）、IEEE国际微波会议（IEEE／MTT-S International Microwave Symposium；IMS），发表新型磁性记忆体与110GHz超高频模型技术成果。

经济部技术处指出，制程微缩是在半导体先进制程的重要趋势，经济部技术处多年前补助工研院进行前瞻技术研发，除了协助与全球顶尖学术机构合作、强化国际合作夥伴的关系，更与许多国内产学界携手投入产业化，在国际上展现影响力。由於VLSI与IMS分别是世界顶尖的半导体与微波领域国际会议，每年与会人数达上万人，深受全球学术界及业界重视；今年工研院与国内顶尖学府阳明交大、清华大学分别在VLSI与IMS国际会议上发表前瞻研发论文，展现台湾在新世代记忆体与超高频科技的深厚能量，提升国际竞争力。

工研院电子与光电系统所所长张世杰表示，AI人工智慧、5G 时代来临，快速处理大量资料的需求暴增，随着摩尔定律持续向下微缩，半导体业者开始寻求成本更隹、速度更快、效能更好的解决方案。由於磁阻式随机存取记忆体（Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM）具有高写入与读取速度，兼具快闪记忆体非挥发性，工研院多年前从元件创新、材料突破、电路优化等方式展开研究，成功开发出国际领先的磁性记忆体与相关运算技术，更携手学界共同发表论文，希??以前瞻创新的研发能量，在国际上持续维持竞争力。

今年工研院携手阳明交大在VLSI共同发表新型单极化磁性记忆体Unipolar-MRAM，一般要写入资讯必须要透过双向电压来控制，Unipolar-MRAM只要利用单向电压即可存储和读取数据，在简单的交点式结构（Cross-point Structure）达成高度元件微缩，不但较传统磁性记忆体具有更高存取速度、低功耗和更长的数据保持时间，更可与既有的二极体与相关制程整合、相容，实现较以往更高的储存密度。未来除了在物联网设备、智慧手机、车载电子和人工智能等领域，提供高速、低功耗的数据存储解决方案，在量子电脑、航太领域等前瞻应用更是潜力强大。

而面对B5G、6G通讯基础建设布建及与营运，新兴半导体材料氮化??具高频、高功率特性，逐渐在高频毫米波应用上成为显学。工研院为了强化B5G、6G国产化产业链，多年前从磊晶上游端串联国内基板、半导体晶圆代工、封装与网通等业者，建立完整的产业链，并与清大教授徐硕鸿团队在元件开发、自主模型建立、电路设计上合作，突破高频电路效能，今年双方合作在IEEE发表基於自主超高频模型下实现110GHz振荡器电路创新成果。在0.15um的氮化??制程下，可达到世界最高频110GHz振荡器记绿，且技术团队提出的自主三端电路模型为新结构自主模型，不仅可优化业界半导体厂提供之模型，更在110GHz高频达到极高准确度，未来将以此关键技术持续拓展国际合作契机。