为了追求具成本效益的产能扩张，以及关键技术节点升级策略，扩展供应链的韧性。联华电子和英特尔共同宣布，双方将合作开发12奈米FinFET制程平台，以因应行动、通讯基础建设和网路等市场的快速成长。这项长期合作结合英特尔位於美国的大规模制造产能，和联电在成熟制程上丰富的晶圆代工经验，以扩充制程组合，同时提供更隹的区域多元且具韧性的供应链。

联华电子和英特尔将合作开发12奈米制程平台，提供客户更多元的区域供应链，以因应行动、通讯基础建设和网路等市场的快速成长。

此项12奈米制程将善用英特尔位於美国的大规模制造能力和FinFET电晶体设计经验，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的组合。受惠於联电为客户提供PDK及设计支援方面的数十年经验，得以更有效地提供晶圆代工服务。新的制程将在英特尔位於美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22和32厂进行开发和制造，透过运用晶圆厂的现有设备将可大幅降低前期投资，并进行最隹化利用率。

双方透过生态系合作夥伴提供的电子设计自动化（EDA）和智慧财产权（IP）解决方案，合作支援 12 奈米制程的设计实现，以满足客户需求。此12奈米制程预计在2027年投入生产。