MIPS公司近日宣布，该公司的40奈米USB 2.0高速物理层（PHY）IP已获得USB设计论坛（USB-IF）认证，并符合台积电（TSMC）的TSMC9000 40奈米LP制程标准。各类新一代的消费性电子产品都朝外型精巧、节能省电趋势发展，因此整合式USB解决方案也必须满足这样的需求。

MIPS的USB 2.0高速物理层IP面积小于0.6mm2，功耗低于80mW。此外，其拥有先进可程序功能，因此开发人员可微调系统的模拟参数，以达到芯片的最佳效能。采用符合完整USB 2.0规范的合格物理层IP，可以确保消费性电子产品与其他USB 2.0装置的互操作性。

MIPS Technologies公司模拟事业群实体链接方案总监Celio Albuquerque表示，SoC开发人员正朝先进制程移转，以降低开发大量行动与消费性产品的成本， 因此需要高质量、可靠、具互操作性的USB方案。在日前推出首创的40奈米USB PHY IP、及率先获得认证的45奈米1.8v USB PHY IP后，MIPS很荣幸进一步宣布此技术新里程碑。身为台积电的合作伙伴，MIPS将尽快提供通过验证的IP方案，协助客户能以最低成本、最快上市时程来整合设计，以便迅速将产品投入市场。