NTT研究团队成功研发全球首个以氮化铝（Aluminum Nitride, AlN）为基础的高频晶体管。这款 AlN 高频晶体管能在极高频率下进行无线讯号放大，包括支援毫米波（mmWave）频段，使其在後 5G、6G、卫星通讯以及新世代无线系统中具有革命性意义。

NTT成功开发AlN高频晶体管

NTT 表示，AlN 展现的性能指标大幅超越目前市场主流的氮化??（GaN）晶体管。不论是在断电场强度、高电子饱和速度，或是在高频运算效率方面，AlN 都具有前所未见的表现。这意味着未来半导体可在更高电压、更高速的条件下运行，同时具备更低的损耗与更隹的热稳定性，使其成为高频通讯与高功率转换技术的下一代核心材料。

长期以来，GaN 一直被视为高频与高功率的主流材料，包括射频前端（RF FE）、5G 基站、电动车功率模组、雷达与工业应用皆大量采用。然而，随着通讯标准迈向更高频宽、更低延迟的 6G 时代，GaN 的材料极限逐渐浮现。AlN 的出现，使产业看见更广阔的高频应用可能性，尤其在毫米波与太赫兹（THz）频段，其材料优势尤为突出。

NTT 此次突破不仅象徵研究成果具全球领先地位，也可能改变未来整体半导体产业结构。若 AlN 晶体管能顺利量产并提升良率，将对高频 RF元件、卫星通讯设备、车用雷达、先进感测与高速电源管理领域产生深远影响。特别是在卫星通讯、低轨卫星（LEO）与城市密集波束通讯场景中，对高功率、高频率器件的需求正快速上升，使 AlN 成为极具市场潜力的新星材料。