台積電內部透露，已利用4Mb SRAM為載具，成功完成各項製程設備的0.13微米銅製程試產，包括CVD、FSG與Spin On等3種不同的製程方式，良率都已達高水準。由於各項製程數據正在最後收集階段，待完整的數據彙整後，台積電將於近期正式對外宣佈。

台積電內部指出，聯電完成的0.13微米 銅製程技術，載具是2Mb SRAM，台積電則是4Mb SRAM，聯電5月份產出製程是採用FSG製程，而台積電3種不同的製程技術都已完成開發，且良率都已達高水準。