半導體景氣下滑，台積電、聯電為充分利用產能，第一季開始陸續轉向LCOS(低溫單矽晶)及密著型影像感測元件(CIS)生產，預計明年製程技術可大幅提升到0.18微米，提升消費性IC代工比重。

由於第三代行動電話、數位相機等相關顯像載具普及，密著型影像感測元件(CIS，CMOS Im-ageSensor) 市場需求攀升；台積電、聯電及力晶等晶圓廠紛紛調撥產能投產，並精進製程至0.25微米，搶攻此難度高但運用廣泛的元件市場。

力晶半導體總經理蔡國智指出，CIS是顯像產品的核心元件，隨著電腦、手機甚至運動器材等載具的搭載，以廣泛受到歐美市場重視；由於晶片製造專業性高，且需要高效能的彩色濾光片(CF)才能顯像，因此，CIS廠商多半以委外代工方式製造，以降低成本。

事實上，去年第四季以來，PC、通訊及部分消費性產品需求大幅降低，台積電、聯電第二季的產能利用率不佳，因此，應用領域仍擴大中的CIS元件，遂成為代工廠的寵兒。