大陸晶圓代工業者上海中芯國際日前表示，該公司已與日本DRAM廠Elpida，簽訂為期五年的DRAM代工協定，中芯將自2003年起在上海8吋晶圓廠以Elpida技轉之0.13微米堆疊式（Stacked）製程，為Elpida代工標準型DRAM。

中芯在2002年初由東芝、富士通技轉0.18微米記憶體製程，已開始為二家大廠代工64Mb DRAM與快閃記憶體（Flash）等產品，2002年12月初則獲英飛凌（Infineon）技轉0.14微米構槽式（trench）DRAM製程技術，為英飛凌代工256Mb DDR晶片，日前則宣佈由Elpida取得0.13微米堆疊式DRAM製程技轉，將在2003年起為Elpida生產256 Mb DDR與SDRAM晶片。

中芯表示，此次合作將促進日本半導體廠商與中國晶圓代工廠商的合作關系，此種合作模式將有效結合日本在技術、產品和設計的優勢，與中國大陸的晶圓代工優勢，為雙方創造雙贏。日本Elpida則表示，中芯將於2003年第三季開始生產，初始產能為月投1萬片，2004年將提高至1.5萬片。

對於中芯積極進軍DRAM市場，國內DRAM廠力晶、茂矽、南亞科等均認為，短期間內大陸晶圓廠仍無法在DRAM市場有影響力。業者表示，大陸晶圓廠雖然獲得國際大廠技轉，但因大陸晶圓廠在國外籌資有不少限制，又無法獲得當地銀行大筆資金聯貸，資金的不足將會影響到其未來的擴產與製程技術微縮（shrink）計劃，加上現階段美國仍限制高階設備進口大陸，所以大陸並不是一個適合製造DRAM的地方。