半导体晶圆厂格罗方德发表全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。

格罗方德发表半导体工艺平台12FDXTM，提供全节点缩放和超低功耗，并通过软件控制实现按需定制性能

随着数以百万计的互联设备出现，世界正在逐步融合为一体，众多新兴的应用也不断要求着半导体的进一步创新。用于实现这些应用的芯片正逐渐演进为微系统，集成包括无线连接、非易失性存储器以及电源管理等在内的越来越多的组件，这不断驱动着对超低功耗的需求，格罗方德半导体全新的12FDX工艺正是专为实现这前所未有的系统集成度、设计灵活性和功耗调节而设计。

12FDX为系统集成树立了全新标准，提供了一个将射频（RF）、模拟、嵌入式存储和高级逻辑整合到一个芯片的优化平台。此外，该工艺还通过软件控制晶体管实现按需提供峰值性能，同时平衡静态和动态功耗以取得顶级能效，实现业内最广泛的动态电压调节和无与伦比的设计灵活性。

格罗方德半导体首席执行官Sanjay Jha表示，某些应用需要FinFET晶体管的高级性能，但大多数联网设备需要在性能和功耗之间实现更高的集成度和灵活性，同时还要求低于FinFET的成本。

格罗方德的22FDX和12FDX工艺为打造下一代智能系统提供了一条新路径，填补了行业路线图的空白。格罗方德的FDX平台可大幅降低设计成本，重新打开了先进节点迁移的大门，并促进生态系统内的进一步创新。

格罗方德半导体全新的12FDX工艺基于一个12nm全耗尽平面晶体管（FD-SOI）平台，能够以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。该平台支持全节点缩放，性能比现有FinFET工艺提升了15%，功耗降低了50%。

林利集团的创始人兼首席分析师Linley Gwennap则评价，芯片制造已经不再是将某一个微缩工艺用于一切产品。虽然FinFET是最高性能产品的首选技术，但对于许多成本敏感型的移动和物联网产品来说，其要求以尽可能低的功耗提供仍然足够的时钟速度，行业路线图并不够清晰。格罗方德半导体的22FDX和12FDX技术定位恰到好处，填补了这一空缺，为先进节点设计提供了另一个替代迁移路径，尤其是针对那些希望降低功耗却不增加量产成本的设计。格罗方德半导体现在是22nm及以下节点FD-SOI的唯一提供者，在业内拥有明确的差异化特征。

IBS, Inc创始人兼CEO Handel Jones也表示，FD-SOI技术能够为那些需要差异化设计的厂商实现功耗、性能和成本之间的实时权衡。格罗方德推出全新12FDX，提供了业内首个FD-SOI路线图，为先进节点设计提供了一条最低成本的迁移路径，有助于实现未来的智能客户端、5G、AV/VR和汽车市场互联系统。

目前，格罗方德位于德国德累斯顿的正在全力准备进行12FDX平台的研发活动和后续生产，客户流片预计将于2019年上半年启动。

恩智浦半导体i.MX应用处理器产品线副总裁Ron Martino也指出，恩智浦半导体公司的下一代多媒体应用处理器正在使用FD-SOI的优势，以奠定其在汽车、工业和消费应用中提供超低功耗和按需调整性能的领先地位。

格罗方德半导体的12FDX技术将FD-SOI拓展到了下一个节点，是对这个行业一个极大的补充。其将会进一步扩大平面结构器件提供更低风险、更广泛动态范围以及更具竞争力性价比的能力，从而实现未来的智能联网安全系统。

芯原股份有限公司总裁兼首席执行官戴伟民表示，公司利用其平台化芯片设计服务（SiPaaS）和为片上系统提供一流IP和设计服务的经验，成为FD-SOI设计的先行者之一。 FD-SOI技术的独特优势为公司在汽车、物联网、移动连接和消费电子市场细分领域具备了差异化特征。芯原期待扩大和格罗方德半导体的合作，利用其12FDX向中国市场的客户提供高质量、低功耗和经济高效的解决方案。

法国原子能中心科研所（CEA Tech）下属研究机​​构CEA-LETI首席执行官Marie Semeria指出，12FDX的发展将在功耗、性能和智能调节方面实现另一个突破，因为12nm能够实现最佳的双重曝光，而且能够以最低的制程复杂度提供最好的系统性能和功耗。 LETI团队和格罗方德半导体在美国和德国为了FD-SOI技术的扩展路线图相互协作，取得了这个可喜的成果，其将成为实现联网设备的片上系统完全集成的最佳平台。

Soitec的首席执行官Paul Boudre则说，非常高兴看到22FDX拥有强大的发展动力，拥有非常坚定的无晶圆厂商客户采用者。格罗方德12FDX技术将进一步扩大FD-SOI的市场普及。 Soitec已经做好充分的准备来支持格罗方德半导体，为其提供高产量、高质量的22nm至12nm的FD-SOI衬底。这是一个惊人的机会，为新的移动和连接应用发展提供了及时的巨大动力。